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IXTA160N10T7
90
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
80
70
60
50
40
30
20
I D = 25A
I D = 50A
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
65
60
55
50
45
40
35
30
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
170
65
90
120
t r
t d(on) - - - -
85
t f
t d(off) - - - -
115
150
T J = 125oC, V GS = 10V
60
80
R G = 5 Ω , V GS = 10V
110
130
V DS = 50V
I D = 50A
55
75
70
I D = 25A
V DS = 50V
105
100
110
90
70
50
30
I D = 25A
50
45
40
35
30
65
60
55
50
45
40
35
30
I D = 50A
I D = 25A
I D = 50A
95
90
85
80
75
70
65
60
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
44
80
140
205
43
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 50V
77
74
71
130
120
110
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 25A
190
175
160
42
68
100
145
T J = 25oC
65
90
I D = 50A
130
41
62
59
80
115
40
T J = 125oC
56
53
70
60
100
85
39
38
T J = 25oC
50
47
44
50
40
30
70
55
40
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_160N10T (5V) 11-16-06-A.xls
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